我家猫咪前段时间和你说的情况差不多，北京后来也是有人提醒我了，为我就检查，果然后爪上刺了一个小东西。
东坨电工(d)NiS2和ZnIn2S4异质界面的电荷分布图。【小结】在本文中，村1程核作者利用NiS2/ZnIn2S4异质结作为Li-O2电池中的高活性催化剂，成功在低DN溶剂中形成了类环状Li2O2沉积
▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，千伏以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。同时，输变司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，输变将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。司宏国表示，准获LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。
高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，北京关于合作目前不能透露细节，北京但我们确实在与三星电子、LG电子合作。据韩媒etnews今日报道，东坨电工三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。
司宏国对XR设备的前景表示看好：村1程核我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。
注：千伏三星、千伏高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。输变e）MoS2p-n结气体传感器在紫外光照射下对不同20ppm目标气体的气敏响应。
准获图2 p型MoS2气体传感器对NO2的性能研究a）传感器在室温下对10ppm各种气体的选择性。北京f）气体传感器在395nm紫外辐射下对5ppm二氧化氮的稳定性。
该工作采用化学气相沉积法（CVD）和W掺杂的过氧化钼溶胶-凝胶软化学合成，东坨电工分别制备n型和p型MoS2薄膜，并通过后续转移法构筑了二维p-n结。尽管一些工作已经报道了MOS传感器在室/低温时的传感性能，村1程核但是这些传感器仍然面临着灵敏度低、响应恢复速度缓慢和恢复不完全等不足之处。